Fiyat için iletişime geçin
Kurumsal teklifler ve adet bazlı özel fiyatlandırma için "Teklif Al" butonuna basın.
Ürün yeni olup sorunsuz çalışmaktadır. Ürün görselleri ürüne ait amatör çekimlerdir. Test ve ölçüm ekipmanlarında alım, satım, kiralama ve teknik servis hizmetimiz bulunmaktadır.
Transistör Tipi: NPN Silicon Wideband RF Transistor
• Frekans Aralığı: DC – 4 GHz
• Geçiş Frekansı (fT): 4 GHz
• Kolektör-Emetör Voltajı (VCEO): 18 V
• Kolektör-Baz Voltajı (VCBO): 25 V
• Maksimum Kolektör Akımı: 150 mA
• Maksimum Güç Dağılımı: 2.7 W
• Kazanç (hFE): 25 – 70
• Yapı: Silicon Planar Epitaxial NPN
• Yüksek çıkış voltaj kapasitesi
• Diffused emitter-ballasting resistor teknolojisi
• Gold sandwich metallization yapısı
• Yüksek güvenilirlik ve termal kararlılık
• MATV sistem yükselteçleri için tasarlanmıştır
• Driver ve final RF yükselteç katlarında kullanım
• Band IV ve Band V TV ekipmanlarına uygun
• Düşük güçlü UHF yayın uygulamalarında kullanım
• 75 Ohm geniş bant RF sistemlerine uygun
• TO-122A / SOT122A seramik kapaklı metal paket yapı
• Broadcast ve RF haberleşme sistemlerinde kullanım için uygundur
